Protonendotierung Von Silizium: Untersuchung Und Modellierung Protoneninduzierter Dotierungsprofile in Silizium

Johannes G. Laven beschreibt die Dotierung von kristallinem Silizium mittels Protonenimplantationen mit Energien im Bereich weniger Megaelektronenvolt. Hiermit k?nnen Dotierungsprofile in Tiefen zwischen Mikrometern bis weit ?ber 100 m erzeugt und modifiziert werden. Das hierzu notwendige, vergleichsweise niedrige thermische Budget macht derartige Dotierungsprofile insbesondere f?r die Herstellung aktueller Leistungshalbleiterbauelemente interessant. Der Autor f?hrt die Anforderungen und Grenzen der Protonendotierung aus und zeigt ein analytisches Modell zur Berechnung von Protonen-induzierten Dotierstoffprofilen in Abh?ngigkeit der Implantationsparameter sowie des thermischen Budgets.