Effet Du Dopage Au Silicium Sur Les Propri?? Optiques de Gaasn

Dans ce travail, nous pr?sentons une ?tude exp?rimentale par photoluminescence sur des couches de GaAsN dop?es au silicium. En premier lieu, nous donnerons une description de la structure cristalline, de la structure de bandes des mat?riaux III-V (en particulier de GaAs), ainsi que des propri?t?s optiques et des conditions d'interaction rayonnement-semiconducteur. Ensuite, une ?tude th?orique sera d?di?e au mod?le d'anticroisement de bandes (BAC) qui permet une meilleure interpretation des observations exp?rimentales inhabituelles (diminution de l'?nergie de la bande interdite, augmentation de la masse effective et param?tre de courbure g?ant) suite ? l'incorporation de l'azote dans la matrice de GaAs. Enfin, nous aborderons l'?tude de l'effet du dopage sur les couches de GaAsN ainsi que l'analyse des r?sultats exp?rimentaux par photoluminescence.

Author: Sedrine-N

Publisher: Omniscriptum

Publication Date: Feb 28, 2018

Number of Pages: 88 pages

Binding: Paperback or Softback

ISBN-10: 3841625444

ISBN-13: 9783841625441