Mod?isation Du Courant Drain Induit Par La Grille

En se basant sur le mod?le des bandes d'?nergie nous avons propos? un mod?le ?labor? du courant de fuite drain induit par la grille qui tient compte des distributions spatiales r?elles du champ ?lectrique transversal et du profile du dopage dans la r?gion de recouvrement grille drain. L'effet tunnel bande ? bande dans le transistor est attribu? non seulement ? l'existence d'un champ ?lectrique transversal mais aussi au champ ?lectrique lat?ral. Par cons?quent, le courant de fuite d? ? l'effet tunnel bande ? bande n'est plus constant pour la m?me valeur de la tension drain-grille ayant des tensions drain et grille diff?rentes et il d?pend fortement des tensions de polarisation du drain et de la grille s?par?ment. En mod?lisant la densit? des d?fauts localis?s dans l'oxyde par une distribution Gaussienne les r?sultats de simulation r?v?lent que le courant de fuite d?pend des deux types des d?fauts (accepteurs et donneurs). Une m?thode num?rique a ?t? propos?e pour le calcul du taux tunnel bande ? bande assist? par les ?tats d'interface afin de clarifier l'impact des ?tats d'interface sur le courant de fuite.

Author: Touhami-A

Publisher: Omniscriptum

Publication Date: Feb 28, 2018

Number of Pages: 160 pages

Binding: Paperback or Softback

ISBN-10: 3841789560

ISBN-13: 9783841789563