Etude de la Fiabilite Des Oxydes Minces Dans Les Structures Mos

Ce m?moire traite de la fiabilit? des composants MOS et des oxydes SiO2 ultra-minces. Le courant de fuite dans l'oxyde d? aux contraintes ?lectriques est mod?lis? par un effet tunnel assist? par d?fauts, le claquage mou (soft-breakdown) par un amincissement local de l'oxyde et les fuites ? basse tension comme un effet tunnel via des ?tats d'interface. Les d?gradations suivent une loi d'acc?l?ration en VG et la probabilit? de cr?ation de d?fauts est obtenue en fonction de l'?nergie des porteurs. Puis la fiabilit? du transistor lors de stress AC en porteurs chauds a ?t? ?tudi?e. L'estimation quasi- statique de la dur?e de vie est appliqu?e au cas du transistor de passage et ses limitations sont point?es en cas de relaxation. Pour le proc?d?, on a analys? les d?g?ts dans le volume du semi-conducteur et les courants de fuite induits par une implantation ionique ? haute ?nergie. Une m?thodologie optimis?e de d?tection des d?fauts latents dus au Wafer Charging utilisant des injections br?ves de porteurs chauds est d?crite. Enfin, nous avons identifi? par DLTS deux d?fauts li?s ? une contamination au Fer dans le Silicium (paire Fe-B et Fer interstitiel).

Author: Goguenheim-D

Publisher: Omniscriptum

Publication Date: Feb 28, 2018

Number of Pages: 160 pages

Binding: Paperback or Softback

ISBN-10: 6131531129

ISBN-13: 9786131531125