Instrumentation Cryog?ique En Technologie BICMOS Sige

Les travaux pr?sent?s dans ce manuscrit de th?se sont consacr?s au fonctionnement des technologies bipolaires, et plus particuli?rement des technologies BiCMOS SiGe, pour une utilisation ? temp?rature cryog?nique. Un ?tat de l'art sur les transistors bipolaires et les bruits ?lectroniques que l'on rencontre sur ce genre de technologie sont donn?s avec une approche orient?e vers les basses temp?ratures. Ces rappels permettent d'aborder les mesures, des param?tres basse fr?quence et du bruit, r?alis?es sur des transistors bipolaires silicium et sur deux technologies SiGe ? 300 K, 77 K et 4.2 K. Il est ensuite pr?sent? deux r?alisations d'ASIC cryog?nique en technologie standard BiCMOS SiGe. La premi?re est un amplificateur bas bruit (1 nV/sqrtHz) et large bande (1 GHz) fonctionnant ? 77 K. Il est destin? ? la caract?risation de bolom?tres supraconducteurs YBaCuO ? ?lectrons chauds. La seconde r?alisation est un circuit de lecture et de multiplexage de matrice de SQUID. Il est, en particulier, pr?sent? le d?veloppement, la r?alisation et le test d'un amplificateur ultra bas bruit (0.2 nV/sqrtHz) ? entr?es multiplex?es fonctionnant ? 4.2 K.

Author: Prele-D

Publisher: Omniscriptum

Publication Date: Feb 28, 2018

Number of Pages: 208 pages

Binding: Paperback or Softback

ISBN-10: 6131537038

ISBN-13: 9786131537035