Effet Du Faible D?it de Dose Sur Les Technologies Bipolaires

Les technologies bipolaires jouent des r?les primordiaux dans les syst?mes spatiaux soumis ? des conditions radiatives. Dans un environnement ionisant, le courant de base des transistors bipolaires augmente et le gain en courant diminue. Pour une m?me dose totale, de nombreuses technologies bipolaires se d?gradent plus ? faible d?bit de dose qu'? fort d?bit ce qui pose un probl?me au niveau du durcissement. Des m?thodes de pr?diction de la r?ponse faible d?bit de dose, telles que les irradiations en temp?ratures, ont donn?es des r?sultats prometteurs pour l'identification de technologies montrant une augmentation de la d?gradation ? faible d?bit de dose. Cependant, aucun test s'appliquant ? toutes les technologies bipolaires n'a ?t? identifi?. En se basant sur un travail exp?rimental, une explication physique des ph?nom?nes se produisant au cours d'irradiations ? temp?ratures ?lev?es a ?t? donn?e et un mod?le de d?gradation a ?t? d?velopp?. A partir de l'observation des r?sultats obtenus, une nouvelle approche du test de composants est propos?e. Cette approche est bas?e sur la commutation d'un fort d?bit de dose vers un faible d?bit.

Author: Boch-J

Publisher: Omniscriptum

Publication Date: Feb 28, 2018

Number of Pages: 168 pages

Binding: Paperback or Softback

ISBN-10: 6131563624

ISBN-13: 9786131563621