Caract?isation ?ectrique des transistors finfets

Dans ce travail, des mesures en r?gime statique et en bruit ont ?t? effectu?es sur des transistors FinFETs r?alis?s sur substrat SOI, issus de la technologie 32 nm, ayant deux diff?rents isolants de grille. L'un est l'oxyde d'hafnium et le second est le silicate d'hafnium nitrur?. La plupart de ces dispositifs ont subi des techniques de contrainte m?canique locales et globales. Les r?sultats de mesures en statique ont montr? l'am?lioration consid?rable des performances dans les transistors contraints par rapport aux transistors standards. Les r?sultats de mesures de bruit ont permis d'?valuer la qualit? de l'isolant de ces dispositifs, le silicate d'hafnium nitrur? semble avoir une meilleure qualit?. L'?tude du bruit a permis aussi d'apporter des informations sur le transport ainsi que sur les m?canismes physiques qui g?n?rent le bruit en 1/f dans ces dispositifs. Les mesures de bruit en fonction de la temp?rature (100 K - 300 K) ont permis d'identifier des d?fauts, souvent li?s ? la technologie de fabrication, dans le film de silicium par la m?thode de spectroscopie de bruit.

Author: Talmat-R

Publisher: Omniscriptum

Publication Date: Feb 28, 2018

Number of Pages: 152 pages

Binding: Paperback or Softback

ISBN-10: 6131577889

ISBN-13: 9786131577888