Impact Des Perturbations ?ectromagn?iques Sur Les Composants Si/Sige

Cette travail propose une nouvelle m?thodologie pour l'?tude de la fiabilit? des TBHs en technologie SiGe. L'originalit? de cette ?tude vient de l'utilisation d'une contrainte ?lectromagn?tique efficace et cibl?e ? l'aide du banc champ proche. Les caract?risations statiques ont montr? la pr?sence des courants de fuite ? l'interface Si/SiO2.Ceci est attribu? ? un ph?nom?ne de pi?geage induit par des porteurs chauds. Ce ph?nom?ne a ?t? abord? par la mod?lisation physique en ?tudiant l'influence des pi?ges d'interfaces sur la d?rive des performances. Afin de visualiser les d?faillances qui peuvent ?tre d?tect?es par microscopie, des observations en haute r?solution MET et des analyses EDS ont ?t? pr?sent?es. Ces analyses microscopiques ont mis en ?vidence les d?gradations des couches de titane. Ces d?gradations sont attribu?es ? un ph?nom?ne de migration de l'or (Au) vers le titane (Ti) due ? la forte densit? de courant induite par vieillissement. Ces r?actions Au-Ti provoquent une augmentation de la r?sistivit? des couches conductrices et expliquent une partie de la d?gradation significative des performances dynamiques du TBH.

Author: Alaeddine-A

Publisher: Omniscriptum

Publication Date: Feb 28, 2018

Number of Pages: 220 pages

Binding: Paperback or Softback

ISBN-10: 6131587213

ISBN-13: 9786131587214