Synth?e de Nanoparticules de GE Et de Si Par Ablation Laser

La r?duction des dimensions des mat?riaux jusqu'? une taille nanom?trique modifie leurs propri?t?s fonctionnelles et ouvre de nouvelles voies pour le design et la fabrication de nouveaux dispositifs. En particulier, les semi-conducteurs nanom?triques occupent une place importante dans le d?veloppement de nouvelles technologies en micro- et opto?lectronique. Ce travail est consacr? ? la synth?se et aux propri?t?s optiques des nanostructures semi-conductrices du groupe IV, telles que les nanoparticules de Si et de Ge. Nous avons ?tudi? de mani?re fondamentale les m?canismes r?gissant la synth?se de nanoparticules de Si et de Ge par ablation laser et la photoluminescence de ces nanomat?riaux. Deux approches de synth?se sont utilis?es, ? savoir le d?p?t sous atmosph?re inerte (h?lium) et r?active (oxyg?ne). Dans la premi?re partie, nous avons ?tudi? les m?canismes de formation de nanoparticules par ablation laser sous atmosph?re inerte. La deuxi?me partie utilise, pour la premi?re fois, l'approche de l'ablation laser sous atmosph?re r?active pour la synth?se de nanoparticules de Ge et de Si encastr?es dans une matrice d'oxyde.

Author: Riabinina-D

Publisher: Omniscriptum

Publication Date: Feb 28, 2018

Number of Pages: 180 pages

Binding: Paperback or Softback

ISBN-10: 6131589364

ISBN-13: 9786131589362