Este livro descreve o conceito de conce??o de SRAM em tecnologias FinFET utilizando carater?sticas ?nicas de dispositivos n?o planares de dupla porta. Ser? explorado o espa?o de par?metros necess?rio para a conce??o de FinFETs. Ser?o apresentadas v?rias t?cnicas de conce??o de SRAM que exploram as vantagens das configura??es controladas por porta ligada e porta independente. O desempenho, a pot?ncia e a estabilidade da SRAM para dispositivos FinFET s?o comparados com os dispositivos CMOS planares convencionais. Tamb?m ser? apresentada a modela??o da variabilidade dos FinFETs atrav?s de estat?sticas. O dispositivo MOSFET foi comparado com o poli-sil?cio e o molibd?nio como material de porta e o dispositivo FinFET foi concebido com diferentes materiais de porta, como o ouro, o tungst?nio, o t?ntalo e o molibd?nio, e os resultados foram comparados com os dispositivos com material de porta de poli-sil?cio.
| Author: Manikandan Murugesan |
| Publisher: Edicoes Nosso Conhecimento |
| Publication Date: Aug 21, 2024 |
| Number of Pages: 60 pages |
| Binding: Paperback or Softback |
| ISBN-10: 6207969340 |
| ISBN-13: 9786207969340 |
