Contribution ?La Mod?isation ?ectrothermique

Dans ce m?moire de th?se, nous proposons une m?thodologie de mod?lisation ?lectrique prenant en compte les effets de la temp?rature sur les ph?nom?nes localis?s qui initient une d?faillance souvent fatale. En pr?vision de la simulation ?lectrothermique coupl?e impliquant des transistors MOS de puissance, un mod?le ?lectrique thermosensible de ce composant et de sa diode structurelle a ?t? d?velopp?. Une attention particuli?re a ?t? accord?e ? l'?tude des ph?nom?nes parasites qui pourraient survenir de mani?re tr?s localis?e suite ? une r?partition inhomog?ne de la temp?rature et ? l'apparition de points chauds. Ainsi les fonctionnements limites en avalanche, avec le d?clenchement du transistor bipolaire parasite et de son retournement ont ?t? mod?lis?s. Des bancs sp?cifiques pour la validation du mod?le pour les r?gimes extr?mes ont ?t? utilis?s en prenant des pr?cautions li?es ? la haute temp?rature. Enfin, Le mod?le ?lectrique thermosensible complet d?velopp? a ?t? utilis? par la soci?t? Epsilon ing?nierie pour faire des simulations ?lectrothermiques du MOS de puissance en mode d'avalanche en adaptant le logiciel Epsilon-R3D.

Author: Dia-H

Publisher: Omniscriptum

Publication Date: Feb 28, 2018

Number of Pages: 200 pages

Binding: Paperback or Softback

ISBN-10: 3841783139

ISBN-13: 9783841783134