Couplage Excitons-Lumi?e Dans Des H??ostructures En Gan Et Zno

Les semi-conducteurs ? grand gap sont utilis?s pour fabrication d'?metteurs de lumi?re dans le domaine spectrale UV-VIS. Mat?riaux comme GaN et ZnO pr?sentent des propri?t?s excitoniques sp?ciales: la force d'oscillateur est ?lev?e et l'?nergie de liaison des excitons est grande. Due ? l'?largissement inhomog?ne des excitons assez important dans les h?t?rostructures, les r?sonances des excitons sont larges, ce qui rend difficile et impr?cise l'extraction de leur param?tres. Ce travail est consacr? ? l'?tude th?orique et exp?rimentale des puits quantiques GaN/AlGaN et ZnO massif, bas?e sur l'analyse de leurs spectres de r?flectivit?. Une technique d'analyse originale des spectres de r?flectivit? exp?rimentaux a ?t? d?velopp?e et employ?e pour la d?termination de la force d'oscillateur des excitons dans les structures ? base de GaN et ZnO. Les param?tres obtenus ont ?t? utilis?s pour proposer des microcavit?s mod?les, r?alis?es ? base de ces mat?riaux. Gr?ce au r?gime de couplage fort exciton-lumi?re dans ces structures, la condensation de Bose des polaritons dans les microcavit?s est possible jusqu'? la temp?rature ambiante.

Author: Zamfirescu-M

Publisher: Omniscriptum

Publication Date: Feb 28, 2018

Number of Pages: 168 pages

Binding: Paperback or Softback

ISBN-10: 6131527881

ISBN-13: 9786131527883