H??ostructures Gan/ALN ?Champ ?ectrique Interne R?uit

Ce travail traite de la croissance et des propri?t?s optiques d'h?t?rostructures GaN/AlN ? champ ?lectrique interne r?duit, d?pos?es sur SiC par ?pitaxie par jets mol?culaires assist?e par plasma. Nous avons d'abord ?tudi? les propri?t?s de structures GaN/AlN en phase wurtzite d?pos?es sur SiC (11-20) ou plan a. ? l'inverse de l'orientation (0001), la croissance du GaN sur l'AlN en conditions d'exc?s de Ga permet de former des bo?tes quantiques de GaN par le mode Stranski-Krastanow, et la croissance en conditions d'exc?s d'azote aboutit ? la formation de puits quantiques de GaN. Dans les deux cas, la morphologie des couches est influenc?e ? la fois par l'anisotropie de la couche tampon d'AlN sous-jacente et par la polarit? du mat?riau. Des ?tudes optiques ont montr? une forte r?duction du champ ?lectrique interne par rapport ? l'orientation (0001). Enfin, nous avons ?tudi? les propri?t?s des nitrures en phase zinc-blende. Nous avons d?termin? les param?tres permettant de contr?ler la formation des bo?tes quantiques de GaN/AlN, en insistant sur le r?le de la rugosit? de l'AlN. Des ?tudes optiques ont r?v?l? une polarisation de la photoluminescence des bo?tes ? temp?rature ambiante.

Author: Founta-S

Publisher: Omniscriptum

Publication Date: Feb 28, 2018

Number of Pages: 196 pages

Binding: Paperback or Softback

ISBN-10: 6131577277

ISBN-13: 9786131577277