?ude Par Microscopie ?Force Atomique

Ce travail de th?se s'inscrit dans le contexte de miniaturisation des transistors MOS afin de mener la technologie CMOS ? ces dimensions ultimes. Avec les techniques actuelles de fabrication et pour des longueurs de grille de transistor inf?rieures ? 30nm, les variations moyennes de la longueur de grille, appel?es rugosit? de bord, entra?nent des fluctuations ?lectriques dans le transistor inacceptables pour le bon fonctionnement des futures g?n?rations de dispositifs. Il convient donc de contr?ler ce param?tre afin de le r?duire. Pour r?ussir ce d?fi technologique, il est essentiel de le mesurer avec pr?cision afin, par la suite, de comprendre ses origines et son ?volution apr?s chaque ?tape technologique de fabrication. Dans ce travail de th?se, nous nous sommes int?ress?s ? la mesure la rugosit? de bord, ? l'aide d'un nouvel ?quipement de m?trologie: le microscope ? force atomique en trois dimensions. Nous avons ?valu? les capacit?s de cet outil et d?termin? un protocole de mesure de la rugosit? de bord, qui nous a permis ensuite d'?tudier ses origines et d'?tudier son ?volution lors des diff?rentes ?tapes technologiques de fabrication d'une grille de transistors MOS.

Author: Thiault-J

Publisher: Omniscriptum

Publication Date: Feb 28, 2018

Number of Pages: 176 pages

Binding: Paperback or Softback

ISBN-10: 6131531706

ISBN-13: 9786131531705