Mod?isation de la Mobilit?Des ?ectrons Dans Les Semiconducteurs

Des mat?riaux tels que le carbure de silicium (SiC) ou le nitrure de gallium (GaN) sont tr?s attractifs car leur utilisation, dans l'industrie des composants ?lectroniques, permet d'atteindre simultan?ment de forts courants et de fortes tensions et donc de fortes puissances. C'est en particulier la cons?quence des propri?t?s remarquables des compos?s III-V ? base d'azote que sont les nitrures. Des mod?les de la mobilit? des ?lectrons dans nitrure de gallium ont ?t? d?velopp?s au paravent, mais leurs applications sont limit?es car ils ne sont pas valables pour les basses temp?ratures (T10E18cm-3), la raison pour laquelle notre livre est destin? ? d?velopper des approches analytiques de la mobilit? des ?lectrons qui peuvent ?tre utilis?es pour ?tudier le m?canisme de transport des ?lectrons dans le GaN pour des larges gammes de temp?ratures et de dopages sous l'effet de n'importe quel champ ?lectrique en utilisant les techniques ?volutionnaires.

Author: Collectif

Publisher: Omniscriptum

Publication Date: Feb 28, 2018

Number of Pages: 88 pages

Binding: Paperback or Softback

ISBN-10: 6131551391

ISBN-13: 9786131551390