Holographie ?ectronique Et Simulation Du Dopage

L'holographie ?lectronique "off-axis" est une technique de MET sensible ? la densit? locale de porteurs, elle permet facilement une cartographie 2D du potentiel ?lectrostatique et, par son large champ de vue, une analyse des profils de dopants actifs, directement utilisable pour le calibrage des outils de simulation des proc?d?s. Les travaux de cette th?se ont pour objet, d'une part l'?tablissement de protocoles de pr?paration des ?chantillons, d'acquisition des donn?es en holographie ?lectronique, et d'autre part la comparaison entre les r?sultats de la mesure et ceux de la simulation num?rique des proc?d?s de fabrication de la micro?lectronique. L'?tude porte sur l'implantation d'Arsenic dans le canal de transistors 'nMOS', issus d'une technologie sur film mince (10 ? 50nm). Cet ouvrage explore les capacit?s et les limites de l'holographie ?lectronique ? travers l'analyse d'?chantillons de complexit? croissante: depuis une image dans le vide ? un transistor de derni?re g?n?ration. Chaque ?tape est appuy?e par une confrontation aux mod?les math?matiques existants, et ? la simulation num?rique.

Author: Ailliot-C

Publisher: Omniscriptum

Publication Date: Feb 28, 2018

Number of Pages: 152 pages

Binding: Paperback or Softback

ISBN-10: 6131599416

ISBN-13: 9786131599415