Dopage de Type P Du Zno

L'objectif de cette th?se a ?t? l'?tude du dopage p dans les couches minces et les nano-fils de ZnO, ?labor?s par la technique MOCVD. Les ?chantillons ont ?t? caract?ris?s par SIMS, MEB, TEM, RX, Raman, PL, effet Hall, I(V) et C(V). Les mesures ?lectriques montrent que les couches dop?es azote restent de type n m?me apr?s avoir subi des traitements thermiques. Des signatures optiques des dopants sont n?anmoins observ?es par photoluminescence et Raman: l'incorporation de l'azote se traduit par la pr?sence des niveaux donneurs-accepteurs (DAP) observ?s par PL et des modes LVM en Raman. La bande DAP est sont beaucoup plus intense en dopant avec l'antimoine (Sb) qui s'incorpore facilement dans la matrice ZnO atteignant ainsi une concentration de l'ordre de 1020 at.cm-3. Nous avons r?ussi ? r?aliser des structures de diode ZnO: Sb/ZnO ayant les caract?ristiques de jonction PN.

Author: Marzouki-A

Publisher: Omniscriptum

Publication Date: Feb 28, 2018

Number of Pages: 240 pages

Binding: Paperback or Softback

ISBN-10: 613158480X

ISBN-13: 9786131584800