Transport Sous Contrainte Me Canique Pour La Micro?ectronique CMOS

La course ? la miniaturisation des transistors MOS implique de nouvelles technologies d'am?lioration des performances. L'ing?nierie de contrainte m?canique est aujourd'hui devenue une ?tape incontournable. Les objectifs de ce travail sont de mod?liser les dispositifs des prochains noeuds technologiques et de quantifier l'impact de la contrainte m?canique. La mobilit? est le facteur exploit? pour quantifier les performances et l'un des param?tres cl?s des simulateurs commerciaux. Ici, le concept de mobilit? effective et de mobilit? de magn?tor?sistance dans les MOS courts est analys? et le r?le pr?pond?rant des effets non stationnaires est identifi? et quantifi? par des mod?les avanc?s. Gr?ce au simulateur Monte Carlo MONACO, l'influence de la contrainte sur la structure de bandes et ses r?percussions sur le transport sont ?tudi?es. En bande de valence, la mobilit? reste repr?sentative des performances. L'impact de la contrainte sur la mobilit? des trous est ?tudi?e par le biais d'exp?riences de flexion m?canique. Gr?ce des calculs de mobilit? Kubo-Greenwood, les tendances sont expliqu?es par les forts couplages existants entre les effets de contrainte et de confinement des trous.

Author: Huet-K

Publisher: Omniscriptum

Publication Date: Feb 28, 2018

Number of Pages: 244 pages

Binding: Paperback or Softback

ISBN-10: 6131519382

ISBN-13: 9786131519383